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联华电子携手ARM验证联华电子14纳米FinFET工艺

基于联华电子14纳米FinFET工艺实作之ARM Cortex® core处理器核心测试芯片正式设计定案

 

全球晶圆专工大厂联华电子今(22)宣布,与全球 IP 硅智财授权领导厂商 ARM合作基于联华电子14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)工艺生产的PQV测试芯片已经设计定案(tape out),代表ARM Cortex-A系列处理器核心通过联华电子高阶晶圆制程验证。此14纳米合作案延续自双方成功将ARM Artisan® 实体 IP整合至联华电子28纳米高介电金属闸极(High K/Metal gate)量产工艺。

联华电子14纳米FinFET工艺技术验证,是联华电子FinFET工艺启动其它IP生态系统的第一步,包括基础IP 硅智财(foundation IP)和ARM处理器实体设计。

ARM实体IP设计事业部总经理Will Abbey表示:「ARM和联华电子已在数个技术世代上持续合作,且成果卓越。采用联华电子14纳米FinFET工艺的Cortex-A系列核心测试芯片正式设计定案,对我们来说十分振奋。ARM与联华电子将针对此高阶制程技术的研发持续保持紧密合作。」

联华电子负责硅智财开发与设计支持的王国雍副总表示:「在联华电子准备向客户提供14纳米FinFET工艺之际,建立强大的设计支持基础以强化14纳米平台的整体效益是至关重要的。ARM是先进工艺的IP硅智财全球领导供货商,我们很高兴能够延续先前的成功经验,将Artisan实体IP以及Cortex处理器解决方案纳入联华电子14纳米工艺。」

联华电子14纳米FinFET工艺已经展现卓越的128mb SRAM产品良率,并预计于2015年底提供接受客户设计定案(tape-out)下单生产。


 

 

媒体联络人:
金百佳 (Judy Jin)
(02)2658 9168 ext. 16902
judy_jin@umc.com

 

   

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