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联华电子与新思科技扩展14纳米FinFET伙伴关系,
纳入DesignWare嵌入式内存与测试解决方案

继新思科技DesignWare逻辑库与工具于联华电子14纳米FinFET工艺成功完成第一个PQV测试,双方持续携手合作

 

重点摘要:
• 联华电子与新思科技开发第二个联电14纳米工艺PQV测试,展现双方公司持续不懈的努力,以及加速DesignnWare硅智财纳入联华电子14纳米FinFET工艺的决心
• 第二个联华电子14纳米FinFET工艺PQV包含DesignWare嵌入式内存与DesignWare STAR内存系统
• 延续14纳米FinFET 工艺PQV的成功, 包含了新思科技DesignWare逻辑库硅智财以及StarRC寄生电路抽取工具(parasitic extraction tool),此次两家公司继续拓展合作关系

联华电子与新思科技今(22)日共同宣布,双方拓展合作关系,于联华电子14纳米第二个PQV测试芯片上纳入新思科技DesignWare嵌入式内存IP与DesignWare STAR内存系统测试与修复解决方案。此PQV提供了更多硅数据,可让联华电子进一步微调其14纳米FinFET工艺,以实现优化的功耗,效能与位面积表现。双方已成功设计定案了第一个联华电子14纳米FinFET工艺PQV,包含了新思科技DesignWare逻辑库与StarRC™ 寄生电路抽取工具(parasitic extraction tool),而此次PQV则继续拓展伙伴关系。

新思科技IP暨原型建造营销副总裁John Koeter指出:「新思科技与联华电子扩展的合作关系展现了双方共同的目标,也就是协助芯片设计公司在联华电子工艺上,将我们的DesignWare硅智财结合到其系统单芯片设计上。现已有超过45颗FinFET测试芯片设计定案(tapeout),新思科技将持续倾全力致力于为FinFET工艺提供高质量硅智财,使芯片设计公司能够降低整合风险,并加速量产时程。」

联华电子硅智财研发暨设计支持副总王国雍表示:「除了研发业界具竞争力的14纳米工艺,以满足当今最尖端芯片应用产品的需求外,联华电子现正致力于建构相当完整的全方位支持架构,藉此加速14纳米客户design-in的速度。继联华电子与新思科技于14纳米工艺上成功验证PQV后,很高兴在我们最先进的工艺上与新思科技优质的DesignWare硅智财继续拓展合作。我们期待将这份伙伴关系所带来的好处提供给双方客户,协助采用14纳米进行设计的客户,能获得功耗,效能与成本上的优势。」

联华电子14纳米FinFET工艺已展现了卓越的128mb SRAM良率,预期于2015年底接受客户设计定案(tape-out)。


 

 

媒体联络人:
金百佳 (Judy Jin)
(02)2658 9168 ext. 16902
judy_jin@umc.com

 

   

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