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联华电子TSV技术进入量产阶段,驱动AMD Radeon R9 Fury X GPU绝佳效能

硅穿孔技术可将内存与 GPU 结合,展现尖端效能

 

联华电子今(20)日宣布,用于AMD旗舰级绘图卡Radeon™ R9 Fury X的联华电子硅穿孔 (TSV) 技术,已经进入量产阶段,此产品属于AMD近期上市的Radeon™ R 300 绘图卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU采用了联华电子TSV 制程以及晶粒堆栈技术,在硅中介层上连结 AMD提供的HBM DRAM高带宽内存及GPU,使其GPU能提供4096 位的超强内存带宽,及远超出现今GDDR5业界标准达4倍的每瓦性能表现。

联华电子市场营销副总暨TSV技术委员会共同主席简山傑表示:「AMD 致力于将顶尖GPU产品带入市场,具有丰富的成功经验。这次量产里程碑彰显了我们与AMD在TSV技术上紧密合作下的成果,我们很荣幸能运用此技术的性能优势,协助AMD强化其新一代GPU产品。展望未来,联华电子期盼与 AMD继续携手,延续这份成果丰硕的伙伴关系。」

AMD资深院士(senior fellow) Bryan Black 表示:「从开始研发至量产阶段,联华电子皆采用创新技术打造客户产品,这是AMD选择联华电子合作硅中介层及相关 TSV 技术的关键因素。联华电子此次顺利将 TSV技术运用在AMD最新的高效能GPU上,再次证明了其坚实的专业能力。本公司很荣幸能拥有联华电子作为我们的供应链伙伴,协助我们推出全新Radeon 系列产品。」

AMD提供的GPU与HBM堆栈晶粒,皆置放于联华电子TSV制程的中介层上,透过CMOS线路重布层(redistribution layer)与先进的微凸块(micro-bumping)技术,这些芯片之间可于中介层彼此连通,因此得以实现AMD Radeon™ R9 Fury X绝佳的效能与位面积。AMD的TSV硅中介层技术系于联华电子位于新加坡的12吋特殊技术晶圆厂Fab 12i制造生产。


 

 

媒体联络人:
金百佳 (Judy Jin)
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