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联华电子采用晶圆专工业界第一个0.11微米eFlash制程,量产触控IC

可赋予触控控制器及物联网应用产品杰出的效能优势

 

联华电子今日(22日)宣布已采用0.11微米eFlash制程量产触控IC应用产品。此特殊技术最初于2012年底于联华电子推出,是为晶圆专工业界第一个结合12V与纯铝后段(BEoL)制程,以因应次世代触控控制器及物联网应用产品的需求。在整合更高密度嵌入式闪存与SRAM,以便用于各尺寸触控屏幕产品的微控制器时,0.11微米制程可提供比0.18微米制程更小更快的逻辑组件,并可达到更高效能。

联华电子市场营销处资深处长黄克勤表示:「触控面板已是今日电子产品主流的操作接口。联华电子触控平台解决方案其中一项重要特点,就是我们的0.11微米eFlash解决方案,包含了可提供芯片设计公司的专有闪存macro设计服务。并藉由结合铝后段制程来提供最佳成本效益,服务高度竞争的触控IC市场。此外,就如本公司0.18微米eFlash制程一样,12V可满足今日更大尺寸触控屏幕,与浏览网页时在触控屏幕上悬浮触控(hover)应用的高信噪比需求。」

联华电子0.11微米触控IC平台与现今广泛采用的3.3V解决方案相比,信噪比可改善超过三倍,可驱动芯片设计公司创造新世代更先进的触控产品。联华电子拥有制造触控控制器IC的丰富经验,有超过30家生产中的触控客户,每月出货量逾4000万颗IC。0.11微米制程以8吋晶圆制造,并采用纯铝后段技术,使触控芯片设计公司能够享有更低的一次性工程费用与相关成本,以提高市场竞争力。联华电子同时提供自行研发的闪存硅智财,协助加速产品上市时程并促进客制化,以因应当今市场趋势。联华电子也开发极低漏电制程(uLL),进一步降低组件与SRAM的核心电流达最高四倍。


 

 

媒体联络人:
金百佳 (Judy Jin)
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