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智原发表PowerSlashTM硅智财于联电55奈米超低功耗制程支持物联网应用开发

 

联华电子今(12日)与ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)共同发表智原科技于联电55奈米超低功耗工艺(55ULP)的 PowerSlashTM 基础IP方案。智原 PowerSlashTM 与联电工艺技术相互结合设计,为超低功耗的无线应用需求技术进行优化,满足无线物联网产品的电池长期寿命需求。

智原科技营销暨投资副总于德洵表示:“物联网应用建构过程中,效能往往受制于低功耗技术。而今透过联电55奈米超低功耗技术以及智原 PowerSlashTM IP 的加速模式(Turbo Mode)功能,为物联网应用环境带来至关重要的解决方案,除了省电更提供绝佳的效能。再次,联电和智原共同缔造了成功的芯片服务技术。”

智原 PowerSlashTM IP 包含多重临界电压组件库、内存编译器和电源管理组件,能够充分利用联电 55ULP 的优势在0.81V至1.32V广域电压下运作。此外,新的加速模式功能可以有效调升性能曲线,帮助 MCU 核心达到2倍效能,在相同额定频率下减少约40%的动态功耗。

联电硅智财研发暨设计支持处的莫亚楠资深处长也表示:“物联网芯片设计师对于有效的节能解决方案有高度的需求。联电拥有晶圆代工业界中最健全的物联网专属55奈米技术平台,结合完整的硅智财方案,可以支持物联网产品的不间断低功耗要求。藉由智原在我们的 55ULP 平台上发表的 PowerSlashTM IP,能够让客户使用完善的工艺平台,协助提供物联网产品的独特需求。”

PowerSlashTM IP 结合智原的低功耗设计系统、系统芯片超低功耗控制组件与 FIE3200 FPGA 平台,可以使用在低功耗集成电路的前端设计或后端开发阶段。联电的 55ULP 技术能够支持较低的操作电压及 sub-pA 装置漏电,为含有钮扣电池的产品提供理想的的晶圆工艺。智原与联电合力的超低功耗解决方案,为超低功耗集成电路设计平台带来新的基准。


 

 

媒体联络人:
曹兰馥 (Lan Fu Tsau)
(03)578 2258 ext. 31083
lan_fu_tsau@umc.com

 

   

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