工艺技术

28纳米

驱动价值与性能的28纳米技术

联电28纳米工艺采用崭新的应力技术 (SMT, t-CESL, c-CESL) 与嵌入式 SiGe,以强化电子迁移率的表现,专为需要高效能与低功耗之应用产品所开发。目前已采用28HLP SiON 与 28HPM/HPC HK/MG工艺量产多家客户产品。联电现正积极扩增28纳米产能,以满足客户对此广受欢迎工艺的高度需求。

28HLP - 采用强化的SiON技术

联电高效能低功耗 (HLP) 工艺为40纳米平顺的工艺移转途径,具备了便于设计采用,加速上市时程,以及优异的效能/成本比。针对有高速要求的客户应用产品,此制程提供了大幅提升的效能与功耗,速度可较业界其它晶圆专工厂提供的28nm SiON制程提升10%。

28HPM/HPC - 采用高介电系数/金属闸极堆栈技术

联电28HPM/HPC 技术广泛支持各种组件选项,以提升弹性及符合效能需求,同时瞄准多样的产品系列,例如应用产品处理器、手机基频、WLAN、平板计算机、FPGA 及网通IC等。具备高介电系数/金属闸极堆栈及丰富的组件电压选项、内存字节及降频/超频功能,有助于系统单芯片设计公司推出效能及电池寿命屡创新高的产品。

应用广泛的28纳米技术

联电丰富的28纳米技术平台及双工艺方法,可精准满足市场上所有主要应用产品的需求。

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