聯華電子今日 (19日) 宣佈為鑫創科技生產新的 SONOS 記憶體。此項新技術採用了先進的 SONOS 介質儲存技術，與傳統的 SONOS 晶胞與 NAND 型態的快閃記憶體相較，能夠更有效地提昇編程速度。聯華電子在 SONOS 薄膜研發所累積的經驗，使其研發團隊得以在首次即生產出 0.18 微米記憶體，稍後便成功試產了 256Mb OTP / MTP 記憶體產品。此記憶體產品具有生產成本上的優勢，更低的耗電，以及相同的編程 / 清除效能與可靠度。

聯華電子特殊技術部柯宗羲副總表示，“聯華電子多年來已為多家客戶生產了快閃記憶體產品，包括標準型快閃記憶體 (commodity flash)，以及嵌入式快閃記憶體 / 電性可擦除式唯讀記憶體 (embedded flash / EEPROM)。此次為鑫創科技生產其 SONOS 產品的成果，再次肯定了聯華電子在快閃記憶體方面堅實的技術基礎與知識背景。”

相較於例如 NAND 的一般快閃記憶體技術，由於 SONOS 技術具有微縮晶胞尺寸，更低的操作電壓，以及簡化的可製造性等特性，近幾年來已逐漸受到注意。這些重要特性使得 SONOS 得以運用於許多高密度應用產品的儲存媒體上。SONOS 記憶體晶胞也可以輕易的整合至一般邏輯平台。

然而，為了克服傳統 SONOS 技術時微縮化最困難的一環，也就是當通道長度變短時，聯華電子在可編程電流上採用了創新方法，此方法與傳統 SONOS 所用的熱電子方法不同，並且可降低聯華電子 SONOS 技術的耗電。

鑫創科技副總劉志成表示 “聯華電子在快閃記憶體方面的豐富經驗，是我們決定晶圓專工夥伴時的關鍵因素。藉由整合我們的記憶體晶胞專利，與聯華電子的 SONOS 專業能力，再加上我們的記憶體設計團隊，這些努力與決定現已展現在我們的第一個產品上，達到了首次試產即成功的豐碩成果。隨著我們將此產品線推向量產，我們同時也將與聯華電子並肩合作，致力於在聯華電子的先進製程上，開發高容量的 SONOS 記憶體產品。”

雙方技術團隊也將合作開發新的 SONOS 記憶體晶胞，並且有效地降低製造成本。

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