現今的消費性電子產品正面臨多樣少量的產品設計需求及挑戰,而嵌入式非揮發性記憶體的技術剛好可以滿足這類市場的產品需求。因為相同的產品硬體設計,可以藉由不同版本的韌體更新,進而被應用於不同終端市場的產品。 對於高度需求反覆讀寫能力 (Endurance) 的產品應用,例如 smartcard,SIM卡或微處理器等,eE2PROM 或 eFlash 會是最理想的技術選擇。 然而,對於中低度反覆讀寫能力需求或中低密度記憶體容量的產品應用 (例如電源管理 IC),則可以採用 eMTP 技術。 最後,對於那些只需要一次性程式編寫應用的產品應用,則可以使用 eOTP 或 eFuse 的嵌入式非揮發性記憶體技術。
全面且完整的嵌入式非揮發性記憶體技術的解決方案
Vt options
Platform offering
55uLPSST
40uLPSST
40uLPSONOS
28HPC+SST
22uLP/uLL
RRAM
Core Vcc (V)
0.9 / 1.2
0.9 / 1.1
0.9
0.8
eLVT
-
V
uLVT
LVT
RVT
SVT
HVT
uHVT
eHVT
AVT
1.8V IO
1.8V
1.8 UD 1.5V
1.8 UD 1.2V
2.5V IO
0.9/1.2
0.9/1.1
2.5V
2.5 UD 1.8V
2.5 OD 3.3V
SRAM
6T
0.425 um2
0.525 um2
0.242 um2
0.127 um20.155 um2
0.114um2
0.140um2
8T
0.789 um2
0.477 um2
0.240 um2
0.315 um2
0.217um2
10T
0.284um2
eFlash
SST / ESF3
SST / ESF4
SONOS
Mixed Signal Devices
Native Vt
Bipolar
Diodes
5V LDMOS
NCAP
PCAP
MOMCAP
Resisters
Inductors
6.5V LDMOS
MIS Varactor
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