Sharp 公司 (Sharp Corporation，以下簡稱 Sharp) 與聯電集團旗下、日本第一家提供晶圓專工之聯日半導體株式會社 (以下簡稱 NFI) 於今天共同宣佈：Sharp 為因應行動電話及其他數位產品對快閃記憶體 (flash memory) 及其他高階半導體元件急增之需求，與 NFI 達成提供晶圓製造之協議。根據該協議， Sharp 將對 NFI 投資 70 億日圓 (6 千 4 百萬美元) 以保障所需之產能。

Sharp 為完善分配資源，將利用 NFI 提供之高階製程技術與製造效率，滿足市場對其快閃記憶體產品的需求。雙方協議初期產出量為每月 6,000 片 8 吋晶圓，預期 2002 年將提高至每月 10,000 片。該批晶圓將自 2001 年下半年起，於 NFI 位於千葉縣的館山廠區生產。

Sharp 投資的 70 億日圓將挹注於 NFI 的擴廠設備，以符合 Sharp 對製造機台的要求。同時，NFI 館山廠的產能將由目前規劃的月產 34,000 片晶圓提升到月產 40,000 片，增加的產能將配置給 Sharp 的半導體生產。NFI 擴廠共需投入 260 億日圓 (2 億 3 千 8 百萬美元) 的資金。

Sharp 與 NFI 的結盟，象徵將來晶圓製造業界的協議將從買賣雙方單純的商業契約，轉變成長期策略夥伴的關係。Sharp 與 NFI 合資擴充產能，將為雙方長期結盟關係奠定基礎。此外，聯電將全力支持 Sharp 與 NFI 的結盟關係，並提供其領先業界的 0.18 微米 (含) 以下技術予 Sharp。