聯華電子今 (12) 日宣佈推出採用美國 AmberWave 公司矽基晶圓的應變矽 (Strained Silicon) 技術。於六月十日至十二日的 2003 國際超大型積體電路技術研討會 (2003 VLSI symposium)，聯電發表的應變矽報告中指出：聯電的應變矽製程大幅提昇了互補金屬氧化半導體 (CMOS) 的效能，70 奈米的應變矽電晶體已被證明可載運超過一般矽電晶體 20% 的電流，並於測試電路中提昇速度逾 10%。

聯電負責中央研究發展部的孫世偉副總經理表示：聯電的應變矽製程技術為提昇晶片效能而無需大幅縮減閘極長度，提供了解決方案。相信我們的客戶夥伴在未來都將因能夠取得此技術而受益。我們目前正與 AmberWave 公司共同為提高 P - 通道電晶體的性能、改進應變矽製程缺陷密度 (defect density) 及降低應變矽製程相關的矽基層成本而努力。

AmberWave 公司執行長 Mitch Tyson 表示：為因應深次微米技術所面臨之電晶體性能之問題與挑戰，我們察覺各公司對應變矽技術的興趣正急速增加中。AmberWave 公司因有堅強的技術實力及充足的 IP，能幫助客戶藉由我們的應變矽技術而受益。聯電是我們的技術夥伴、我們很高興能與聯電合作，提供應變矽技術的優勢給聯電的晶圓專工夥伴。

AmberWave Systems is the semiconductor industry's leading supplier of strained silicon technology building on more than 10 years of advanced research and development at MIT and AT&T Bell Laboratories. AmberWave helps its customers accelerate their development, reduce R&D costs, and minimize their risk by offering licenses and engineering services to wafer and device manufacturers. AmberWave's headquarters and state of the art research and development facility is located in Salem, N.H. The company has additional sales and support offices in Silicon Valley, France, Japan and Singapore. More information about AmberWave can be found on the web at http://www.amberwave.com