聯華電子與迅慧科技 (HBA) 今日 (2日) 共同聲明：聯電成功地為迅慧科技生產 90 奈米晶片原型。奠基於雙方的緊密合作，有效整合迅慧科技傑出的設計能力，及聯電卓越的先進製程能力，第一批晶圓即成功通過驗證。迅慧科技預計將在下半年進入量產。

迅慧科技董事長兼總經理黃財旺表示：我們非常榮幸與聯電共同合作 90 奈米 ZeBL 高速 SRAM 的研發；此次的成功，強力證明了迅慧科技具有最優秀的設計團隊與聯電先進製程技術一貫領先業界的事實。我們希望藉助聯電在 90 奈米製程技術的領先，強化新產品的競爭力，讓本公司 Sync SRAM 的營收在商機無窮的電信通訊產業市場中大幅成長。

採用聯電 90 奈米高速製程研發之 SRAM 原型，在核心電壓範圍介於0.8V-1.4V 及低電流下，仍具備高執行效能的特色。此 SRAM 原型可應用於未來的系統單晶片整合，也符合迅慧科技高密度 ZeBL (Zero Bus Latency) SRAM 系列產品的標準。此外，雙方也為聯電 90 奈米製程驗證了諸多主要的類比及數位矽智財產權。

聯華電子總經理胡國強先生表示：此次 90 奈米矽晶片的研發成功，完全歸功於聯電新的夥伴晶圓專工策略，促使迅慧科技與聯電能緊密合作。我們很榮幸的與迅慧科技合力完成此一 90 奈米製程產品，並樂見密切合作下所呈現之豐碩成果，更期待持續彼此合作關係，共同為其開發新產品。

High Bandwidth Access (HBA) is an ISO 9001 certified, fabless IC design company delivering a full range of the most advanced FIFO and specialty memory products to the electronics industry. Based on an innovative architecture and ASIC approach, HBA products provide the industry's highest bandwidth, highest density (up to 5Mb), and competitive prices on 3.3V and 5V memory devices. HBA has partnered with IC foundry leader UMC for semiconductor manufacturing and ASE Test Limited for IC packaging and testing, ensuring customers of high quality, high capacity, just-in-time delivery, and access to the latest technology. For more information about HBA, visit the company's website at www.hba.com.