聯華電子今日 (4日) 宣佈：聯電為第一家使用無鉻膜相位移光罩 (Chromeless Phase-shift Mask, Cr-less PSM) 微影技術，成功地在 90 奈米製程量產客戶之功能性產品，為半導體業建立另一個新製造里程碑。由於此優異成果表現，聯電將導入無鉻膜相位移光罩技術 (Cr-less PSM) 及 193 奈米光學掃描機進行 65 奈米世代製程研發。

聯電資深副總暨中央研究發展部部長孫世偉博士表示：Cr-less PSM 微影技術是一種解析度增強技術 (Resolution enhancement technology, RET)，聯電結合 Cr-less PSM 微影技術及 193 奈米光學掃描機，使得 Cr-less PSM 光罩微影技術跨越了實驗階段，驗證成為可量產的技術。同時，也展現了既有的 193 奈米光學掃描機將可繼續被沿用在 90 奈米 (含) 以下製程的可行性。運用 Cr-less PSM 微影技術，可以改良微影線寬均勻度及線緣粗糙度的控制，意謂客戶之電路設計將會更正確地被複製在晶圓上。

光罩的使用就如同使用一張底片一樣，直接將電路佈局圖轉印在半導體的晶圓上。聯電使用 193 奈米光學微影之優異技術，透過光罩來投射單一影像至晶圓上。新的 Cr-less PSM 微影技術不像傳統的二元鉻膜光罩，它是利用石英的 phase shifter 取代鉻膜來定義圖案輪廓；此外，由於反相干涉，phase shifter 的邊緣會形成暗線，當 phase shifter 寬度小於可解析距離時，在兩邊形成的暗線會結合成一條，就如同一條鉻膜形成的線一般。由於每層的邊緣均利用到破壞性干涉，可以得到高對比度的光線強度分布，因此也增進了微影的解析度和微距控制的結果。因 PSM 技術需要兩次的曝光來定義一層圖案，而每一個電路佈局圖層需要兩個光罩，將會增加量產成本並降低生產效率，而 Cr-less PSM 光罩微影技術比雙重曝光的 PSM 技術在晶圓製作上變得更有效率；聯電並開始評估在 65 奈米製程中，使用 Cr-less PSM 微影技術並結合其他解析度增強技術。