聯華電子今日 (18日) 宣佈推出晶圓專工業界最先進的 0.18 微米嵌入式高壓製程技術。這項製程技術能滿足日益成長的可攜式液晶顯示器 (LCD) 市場的需求，為閘極驅動、源極驅動及控制器提供不同的電壓，並且因嵌入 4 平方微米超高密度 SRAM 元件，得以產出較小面積的單一晶片。此外，僅需多加一層光罩的程序，就可增加可多次編程 (MTP) 非揮發性記憶體 (NVM) 的功能。

聯華電子客戶製程整合部部長柯宗羲表示，“聯華電子持續推出領先業界的主流以及特殊製程技術，以服務各個領域的客戶。我們非常榮幸成為第一個提供 0.18 微米嵌入式高壓製程技術的晶圓專工公司，也將持續於研發方面投注心力。”

可多次編程記憶體功能具有 SRAM 修補以及微調每一個 IC 的性能，確保晶圓上的每一個晶片性能的一致性，也預期能降低整體成本與上市時程。由於非揮發性記憶體可多次編程，因此可提供客戶更大的彈性，以因應各個應用產品的不同來設定 / 重新設定 IC。

要驅動 LCD 應用產品例如手機顯示器的電晶體，高壓製程技術是必備條件。此外，聯華電子的日本附屬晶圓專工公司 UMCJ 自從今年初開始，已經持續為客戶產出 0.18 微米 20 伏特高壓產品。

聯華電子所提供的單一晶片解決方案代表了這些產品可以用更小的尺寸來製造。聯華電子預期可在 2004 年底開始利用 0.18 微米 32 伏特製程技術試產客戶的 LCD 晶片。