聯華電子今日 (10日) 宣佈，其 URAM 嵌入式記憶體解決方案已獲行動電視解決方案領導廠商－法商 DiBcom 公司採用，生產其 90 奈米製程產品。聯華電子的 URAM 是一個高密度嵌入式記憶體解決方案，與傳統的 SRAM 記憶體相較，URAM 能為 DiBcom 公司的行動電視晶片提供更高的效能、較低的功率消耗以及較小的晶片面積。

“持續不斷的為客戶提供最好的解決方案以及更多的價值，是 DiBcom 公司維持領導地位的方法，”DiBcom 公司的營運副總 David Doval 表示，“聯華電子的 URAM 製程讓我們能降低功率與成本，這對新興的行動電視市場來說是非常重要的的兩個因素。”

聯華電子先進技術開發處副總簡山傑表示，“為了強化客戶產品的效能，聯華電子不斷地研發創新的技術解決方案。我們 URAM 記憶體解決方案具有與 SRAM 相似的介面，其在功率與效能上的優勢，將能增進 DiBcom 公司新世代行動電視產品的競爭力。”

UMC's URAM, part of the company's IP memory family, is intended for a wide range of applications including communications, graphics and imaging systems, and storage devices. The memory bitcell is 1/4 to 1/5 the size of 6T SRAM and its macro area is approximately 1/2 to 1/3 times smaller than SRAM, which in turn allows for more efficient chip area utilization, flexibility and smaller chip size. The URAM cell is completely compatible with UMC's logic process for seamless integration, with few additional process steps needed. URAM is shrinkable to 45nm and below and features low soft error rate and performance ranges of 200MHz for high speed macro, and 166MHz for low power macro designs.