聯華電子今日 (4日) 宣佈已產出採用 URAM 技術的 65 奈米客戶產品。URAM 是聯華電子專利的嵌入式記憶體技術 (eDRAM)，與傳統嵌入式 6T SRAM 或外部 DRAM 相比，URAM 技術可賦予晶片更高效能，更低功耗與更小尺寸。此項技術是純晶圓專工業界唯一自行開發擁有的嵌入式 DRAM 解決方案，目前已用於生產聯華電子 90 奈米客戶產品。

聯華電子記憶體開發部門副總梁德海表示，“驅動今日數位經濟的尖端產品需要精密的技術解決方案，以滿足對更低功耗，更高效能以及更小晶片面積的嚴格要求。藉由提供比一般 6T SRAM 減少了高達 50% 面積的高密度記憶體解決方案，聯華電子的 URAM 技術可有效地滿足系統單晶片設計公司在廣泛應用產品上的需求，包括儲存媒體、通訊產品、繪圖與影像系統等。”

URAM 具備超高密度，僅為 6T SRAM 尺寸的 1/4 到 1/5，其 Macro area 則約為 SRAM 的 1/2 到 1/3，可使整體晶片面積變小，讓晶片設計公司能夠在更小的晶片區塊內放入更多的功能。客戶不論是採用 URAM 於聯華電子標準或低漏電製程上，由於 I/O drivers 減少，因此能夠設計出更高頻寬，使得在降低功耗的同時也能提昇操作速度。

URAM 的邏輯製程相容性，可微縮溝槽單元 (trench cell) 架構以及與 SRAM 相似的介面，這些特性使得 URAM 技術得以完美地與客戶設計和現有矽智財做結合。由於 URAM 是聯華電子自行開發的自有技術，因此針對採用此技術的客戶設計，聯華電子可提供完整而強力的設計支援。如欲獲得更多訊息，請聯繫 sales@umc.com.