聯華電子今日 (27日) 宣佈，成功產出晶圓專工業界第一個全功能 28 奈米製程 SRAM (靜態隨機存取記憶體) 晶片，此晶片是建立於聯華電子自行開發的低漏電 (low-leakage, LL) 製程之上。聯華電子採用先進的雙重曝影 (double-patterning) 浸潤式微影術與應變矽工程來生產此晶片，極小六電晶體 SRAM 元件尺寸約為 0.122um²。

“聯華電子在研發上持續的承諾與努力，讓我們得以在奈米技術領域持續維持領導地位，”聯華電子先進技術開發處副總簡山傑表示，“我們對於這項 28 奈米製程上最新的成就感到非常興奮，此晶片為 28 奈米製程邁向主流製程的未來發展提供了穩固的起始點。未來我們研發的重點會集中在供應電壓極小化、應變效應之模型與自然良率上。”

聯華電子針對不同的市場應用產品，在 28 奈米製程上使用兩種閘極技術。聯華電子針對低漏電製程採用傳統矽閘極 / 氮氧化矽閘極氧化層技術，對於可攜式應用產品例如手機晶片來說是非常理想的選擇。另一方面聯華電子針對著重速度的產品例如繪圖、應用處理器與高速通訊晶片則採用高介電係數閘電介質 (high-k gate dielectric) / 金屬閘極 (metal gate) 之先進閘極技術。聯華電子的 40 奈米製程在 12 吋晶圓廠生產中，而 28 奈米製程較 40 奈米製程提供近兩倍的密度。聯華電子同時根據 28 奈米製程平台，亦將針對 32 奈米客製化製程提供晶圓專工服務。