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聯華電子今日 (25日) 宣佈，其高介電係數閘電介質 (high-k gate dielectric) / 金屬閘極 (metal gate) 之先進閘極技術，已經通過 45 奈米 SRAM 產品良率的驗證，此為 HK / MG 技術的重要里程碑。此項成果在展現 HK / MG 的技術效能與製程可靠性上，是關鍵的第一步，而此技術將使用在次世代 32 / 28 奈米製程中。 “在將 HK / MG 技術推往 32 / 28 奈米製程試產上，聯華電子一直維持穩定的進展，使我們的客戶得以受惠於此項製程的效能表現。”聯華電子先進技術開發處副總簡山傑表示，“儘管全球經濟的不確定性仍高，聯華電子在先進技術的研發依然持續前進。隨著最近我們在 28 奈米 SRAM 工作晶片與 HK / MG 製程實體驗證上的成功，在 2010 年聯華電子的 32 / 28 奈米製程推出時，我們已經做好準備，可以提供客戶一個堅實的技術平台解決方案。” 2008 年 10 月聯華電子以其低漏電 (LL) 製程為基礎，採用先進的雙重曝影 (double-patterning) 浸潤式微影術與應變矽工程，產出業界第一個 28 奈米 SRAM 晶片。聯華電子針對不同的市場應用產品，在 32 / 28 奈米製程上使用兩種閘極技術。聯華電子針對低漏電製程採用傳統矽閘極 / 氮氧化矽閘極氧化層技術，對於可攜式應用產品例如手機晶片來說是非常理想的選擇。而 HK / MG 之先進閘極技術則是針對著重速度的產品例如繪圖、應用處理器與高速通訊晶片等。HK / MG 技術同時可針對 32 / 28 奈米低功率應用產品進行客製化，以滿足個別客戶的需求。 |
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