聯華電子今日 (29日) 宣佈已取得 IBM 所授權的技術,將以 FinFET 3D 電晶體,促進次世代尖端 20 奈米 CMOS 製程的開發。雙方協議 IBM 將授權其 20 奈米設計套件以及 FinFET 技術給聯華電子,聯華電子將可運用這些技術,加快推出這些製程給客戶採用的時程。 聯華電子先進技術開發副總陳一浸博士表示,“對於這次與世界知名技術領導者 IBM 所進行的協議,我們感到十分高興。聯華電子身為全球晶圓專工領導者,必須掌握先機適時推出尖端製程,以協助客戶實現其次世代晶片設計。而借重 IBM 的專業技術來縮減我們 20 奈米與 FinFET 研發週期,將可為聯華電子與我們的客戶創造雙贏。” 聯華電子與 IBM 兩家公司的協議內容,包括 IBM 的 20 奈米 CMOS 與 FinFET 技術。聯華電子內部自行研發的 20 奈米平面 (planar) 製程,將與 IBM 的設計規則與製程 / 元件目標同步,未來聯華電子的 FinFET 技術,將針對行動運算與通訊產品,做為更強化的低耗電技術選項。此項研發將於聯華電子位於南科的研發中心進行。 |
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