聯華電子今日 (19日) 宣佈，已順利驗證晶圓專工業界第一個結合 12V 解決方案的高壓嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程。此製程可將中大尺寸之觸控 IC 所需的驅動高壓，以及存放演算法所需的 eFlash，結合於同一顆高整合度的單晶片中，並且有效地改善信噪比 (SNR)。與業界所提供的其他高壓選項 (例如 18V、24V 或 32V) 相比，此 12V 解決方案在信噪比與耗電之間，提供了絕佳的平衡。

聯華電子特殊技術開發處陳立哲資深處長表示，“聯華電子建構了完整的技術平台，該平台包含了尖端技術與客戶導向的特殊技術，並能充分滿足客戶廣泛應用產品的需求。作為第一家推出整合 eFlash 製程的 12V 至鋁製程 A+ 平台之晶圓專工公司，讓我們有能力掌握中大尺寸觸控面板快速成長的市場契機。我們將與客戶攜手合作，協助其充分利用聯華電子技術所帶來的優勢。”

聯華電子現有 0.18 微米與 0.11 微米 eFlash 產品的成功經驗，為此新的 12V eFlash 平台的順利推出，打下了穩固的基礎，並可藉此協助客戶在蓬勃發展的觸控晶片市場中，加速產品上市時程，同時差異化其產品定位。聯華電子現已大量出貨eFlash晶圓，數家晶片設計公司也已經在其觸控螢幕產品上，採用並且驗證了聯華電子的 12V eFlash 解決方案。

聯華電子 12V eFlash 技術目前已於 0.11 微米與 0.18 微米製程上提供給客戶使用。欲取得更多資訊，請聯繫聯華電子業務代表或造訪 https://www.umc.com/zh-TW/Product/process_technologies/Index/specialty