聯華電子與新加坡半導體封測廠商星科金朋 (STATS ChipPAC) 今 (29日) 共同宣佈，展示全球第一件在開放式供應鏈環境下合作開發的內嵌矽穿孔 (TSV) 3D IC 技術。所展示的 3D 晶片堆疊，由 Wide I/O 記憶體測試晶片和內嵌 TSV 的 28 奈米微處理器測試晶片所構成，並且達成封裝層級可靠度評估重要的里程碑。此次的成功，證明了透過聯華電子與星科金朋的合作，在技術和服務上結合晶圓專工與封測供應鏈，將可以順利實現高可靠度 3D IC 製造的全面解決方案。

「晶片整合層次提升的趨勢正快速演進當中，而 3D IC 技術在增進 IC 功能上勢必扮演不可或缺的角色，實現的模式也將多元化。」星科金朋技術創新副總 Shim Il Kwon 表示，「在開放式供應鏈的合作模式下，晶圓專工業尖端的 TSV、前段晶圓製程可以與封測業高度創新的中段、後段 3D IC 堆疊封測製程整合成互補的完整平台，為半導體市場驅動可靠的 3D IC 解決方案。我們很高興聯華電子作為晶圓專工夥伴所做的承諾與投入，並且期待雙方在未來更進一步的合作。此次推出的解決方案平台，將可協助客戶掌握新市場契機。」

聯華電子先進技術開發處簡山傑副總表示︰「我們認為 3D IC 無需侷限在封閉的商業模式之下開發，因此聯華電子致力與所有主要的封測夥伴合作開發 3D IC，並且都有相當程度的進展。我們與封測領導廠商，例如星科金朋之間的豐碩合作成果，更加確立了 3D IC 開放式供應鏈的運作方式。對 3D IC 客戶而言，此模式將可運作特別順暢，因為在開發與執行過程中，晶圓專工與封裝測試廠商可以充分發揮各自的核心優勢，與封閉式 3D IC 開發模式相比，客戶將受惠於更高的供應鍊管理彈性，以及技術取得更加透明。」

聯華電子與星科金朋經驗證的 3D IC 開放式供應鏈，為業界供應鍊間的合作，建立了實現共贏的重要範例與標準。在此一合作開發計畫中，聯華電子所提供的前段晶圓製程，包含晶圓專工等級細間距、高密度 TSV 製程，可順暢地與聯華電子 28 奈米 Poly SiON 製程相整合。此專案獲取的 know-how 也將運用於聯華電子 28 奈米 Hign-K / metal gate 製程。而中段與後段製程部分，則由星科金朋執行晶圓薄化、晶圓背面整合、細微線距銅柱凸塊，與高精密度晶片對晶片 3D 堆疊等。