2013 年 7 月 23 日，台灣新竹，加州洛斯加托斯—聯華電子 (NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與 SuVolta 公司，今日宣布聯合開發 28 奈米製程。該項製程將 SuVolta 的 Deeply Depleted ChannelTM (DDC) 電晶體技術整合到聯華電子的 28 奈米 High-K / Metal Gate (HKMG) 高效能移動 (HPM) 製程。SuVolta 與聯華電子正密切合作利用 DDC 電晶體技術的優勢來降低泄漏功耗，並提高SRAM的低電壓效能。

這兩家公司還宣布該製程技術將提供高度靈活的採用方式：

• “DDC PowerShrink™ 低功耗平台” 選項：所有電晶體都使用 DDC 技術以實現最佳功耗與效能優勢；
• “DDC DesignBoost 電晶體調換”選項：用 DDC 電晶體取代現有設計中部分電晶體。該選項的典型應用是用 DDC 電晶體取代泄漏功耗大的電晶體來降低泄漏，或者取代 SRAM 位單元電晶體從而提高效能並降低最低工作電壓 (Vmin)
  
  

聯華電子先進技術開發處副總游萃蓉表示：“在接下來的幾周或者幾個月，我們期待看到與 SuVolta 聯合開發的技術有良好的結果，從而進一步驗証 DDC 技術為聯華電子的 28 奈米 HKMG 製程帶來的功耗與效能優勢。通過將 SuVolta 的先進技術引進到聯華電子 HKMG 製程上，我們將提供 28 奈米移動計算製程平台，以完善現有的 Poly-SiON 及 HKMG 技術。”

SuVolta 總裁兼首席執行官 Bruce McWilliams 博士表示：“UMC 與 SuVolta 團隊繼續將 DDC 技術集成到 UMC 的 28 奈米製程，取得優秀的進展。通過合作，我們開發的製程使得 UMC 客戶的設計易於移植。此外，SuVolta 為業界提供選擇，以替代昂貴而復雜的製程技術，從而推動未來移動器件的發展。”

聯華電子 UMC (NYSE: UMC, TWSE: 2303) 是全球半導體晶圓專工業界的領導者，提供先進製程與晶圓製造服務，為 IC 產業各項主要應用產品生產晶片。聯華電子完整的解決方案能讓晶片設計公司利用尖端技術的優勢，包括 28 奈米Poly-SiON 技術、High-K / Metal Gate 後閘極技術、混合信號 / RFCMOS 技術，以及其它涵蓋廣泛的特殊製程技術。聯華電子現共有十座晶圓廠，其中包含位於台灣的 Fab 12A 與新加坡的 Fab 12i 等兩座 12 吋廠。Fab 12A 廠第一至四期目前生產最先進至 28 奈米的客戶產品，第五、六期已在興建階段，第七、八期則已在規劃當中。聯電在全球約有超過 15,000 名員工，在 台灣、中國大陸、歐洲、日本、韓國、新加坡及美國均設有服務據點。聯華電子企業網站

SuVolta 公司致力於開發和授權應用於低功耗高效能芯片的可微縮半導體技術。SuVolta 公司總部位於硅谷，並擁有一批世界一流的工程師和科學家，在技術研發和創新方面具有悠久的歷史，並推動半導體行業的發展。SuVolta 公司獲得了包括 Kleiner Perkins Caufield & Byers (KPCB)，August Capital, NEA, Bright Capital, Northgate Capital 以及 DAG Ventures 等主導風險投資公司的支持。欲了解更多信息，請訪問 www.suvolta.com.

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