工艺技术

14纳米

领先业界的性能

联华电子14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术,已成功进入客户芯片量产阶段。出货给主要客户的14奈米量产晶圆,良率已达先进制程的业界竞争水平,此制程将帮助客户于电子产品开拓崭新的应用。联电位于台南的Fab 12A厂目前为客户量产14纳米客户产品,预计将依据客户需求稳定增长14纳米产能。

联华电子14纳米技术特点为公司自主研发的14nm FinFET技术,其特点包括鳍式模块、高介电材料/ 金属闸极(High-k / Metal Gate)堆栈,低介电材料(low-k)隔板,应变工程(strain engineering),中端(MEOL)以及后端(BEOL)模块。该制程技术对于在同一设计中,对高性能和低功耗兼具的需求应用,是最理想的选择。

强化性能的14奈米FinFET技术,性能亦已达先进制程的业界竞争水平,速度较28奈米增快55%,闸密度则达两倍。此外,功耗更较28奈米减少约50%。

应用

联华电子的14纳米技术,旨在满足各类对最高性能和极低功耗需求的应用领域,如:
- 具人工智能的CPU或GPU
- 高端应用处理器
- 手机基频
- FPGA / CPLA
- Cable Modem/ WLAN / WiFi
- 高端消费性电子类应用,如DTV机顶盒,DTV SoC,高频通信中的射频收发器,5G的极高频(mmWave),以及汽车应用中的极高频雷达(mmWave Radar) /先进驾驶辅助系统(ADAS)和信息娱乐处理器。

设计支持功能

提供广泛的设计支持资源,帮助客户简化其在联华电子14纳米技术的设计过程,包括经验证的Cadence和Synopsys设计工具,晶圆专工设计套件(FDK)和立即可用的命令文件。我们还在开发知识产权和参考设计流程,以进一步加强我们的14纳米设计支持组合。



UMC 14nm FinFET Cross-Section: multi work function (WF) schemes support a wide range of Vt offerings.


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