聯華電子今日 (5日) 與專門發展各類記憶體元件與應用裝置設計解決方案的聯笙電子共同宣佈，聯笙電子的高速 ZeBL™ (Zero Bus Latency) 靜態隨機存取記憶體 (SRAM) 採用聯華電子 90 奈米製程進入量產。聯笙電子的 ZeBL SRAM 產品群使用獨特的高速設計方法，適用於高寬頻網路交換器與路由器，以及即時 DSP 應用裝置，預計在今年六月試產樣品，並於第三季開始量產。

聯笙電子董事長兼執行長陳焜錄表示，“對於使用聯華電子 90 奈米製程成功產出 36 M bit ZeBL SRAM 高速靜態記憶體，我們感到非常驕傲。聯華電子在 90 奈米製程上的領導地位，會更進一步提昇我們產品的競爭性，並且在商機無窮的電信 / 數據通訊和即時 DSP 市場中，大幅提昇我們高速 SRAM 的營收。”

聯笙電子高速 SRAM 產品群的第一個產品 A67P0636，是一個能在 2.5v / 3.3v 電源供應下使用，並且達到 250MHz 時脈的 36Mb (1Mx36) SRAM，並且在 100 腳位 LQFP 套件中也可以使用。這個 SRAM 產品群是個可與目前業界標準高速 SRAM 接線相容的產品。採用 90 奈米製程使得 ZeBL SRAM 可在低運作電流下，展現高性能。

聯華電子執行長胡國強博士表示，“隨著製程技術和設計日趨繁複，聯華電子將會繼續與每一個客戶緊密合作，以確保他們的產品可在我們先進製程上成功生產。此次 90 奈米 IC 的成功生產正是我們與客戶在此尖端科技時代合作創造雙贏的例證。我們非常高興與聯笙電子的密切合作終於得到了豐碩的成果，也期望在未來聯笙其他產品線的發展上繼續攜手合作。”

在 2003 年 3 月，聯華電子是第一家宣佈以 90 奈米製程產出功能矽晶片的半導體晶圓專工公司。聯華電子目前已將業界最先進的 90 奈米技術廣泛運用在不同客戶的多種應用產品量產上。

Some of the statements in the foregoing announcement are forward looking within the meaning of the U.S. Federal Securities laws, including statements about future outsourcing, wafer capacity, technologies, business relationships and market conditions. Investors are cautioned that actual events and results could differ materially from these statements as a result of a variety of factors, including conditions in the overall semiconductor market and economy; acceptance and demand for products; and technological and development risks.

AMIC technology develops and markets a wide range of memory components and application specific solutions. The memory portfolio is expanding rapidly and already includes SRAM, FIFO, Dual Port RAM, Pseudo-Static RAM, DRAM, EDO DRAM, SDRAM, FLASH, Quick-ROM, and mask-ROM products. For more information about AMIC technology, visit the company's website at http://www.amictechnology.com/