結合了測試晶片、設計單元資料庫、製程參數檔與 RTL-to-GDSII 設計參考流程,以利成功產出並縮短產品上市時程
新式圖像用戶介面與強化的虛擬電感器設計單元資料庫針對更小的製程節點,在研發過程中提供更高的速度與更佳的準確度
授權協議現已涵蓋 0.18 微米至 90 奈米製程技術
此項成就使聯華電子位居晶圓專工業界 90 奈米產品晶圓出貨量之冠
完整的 I/O 設計單元資料庫與控制器解決方案,能將資料處理速率提昇至 800Mb / s / pin
此項合作將使聯華電子次世代 65 奈米製程技術更容易為設計公司採用,並且增進 IP 的可利用性
晶片係由佛羅里達大學設計,其振盪頻率可達 105-GHz