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May 24, 2012

聯華電子舉行南科 Fab 12A 廠區第五第六期動土典禮

聯華電子今 (24) 日舉行南科十二吋晶圓廠 Fab12A 第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯華電子 12 吋製造新紀元,不僅大幅提升 28 奈米產能,也為 20 奈米及以下製程奠定穩固基石,除滿足客戶對先進製程的需求外,更將推動聯華電子邁入下一波成長。

聯華電子董事長洪嘉聰表示,“我們樂觀看待半導體與晶圓專工產業的長期發展,為因應產業環境快速變化與掌握市場先機,我們訂定以客戶導向晶圓專工解決方案做為經營策略,此一策略係由純晶圓專工模式與開放的供應鏈生態系統所組成。在此經營模式下,我們依據客戶需求與所處供應鏈中的位置,適時且持續地投資,與客戶、供應鏈廠商之間形成互補互利且共創三贏的長期夥伴關係。Fab 12A 廠區第一至四期預計資本支出將達美金 80 億元,第五及第六期預定再投入約美金 80 億元,第七及第八期廠區也將陸續展開規劃,展現聯華電子永續經營的決心。”

聯華電子執行長孫世偉博士表示,“過去十年,我們位於台灣與新加坡的 12 吋晶圓廠,鞏固了聯華電子在晶圓專工的領導地位。經由多年來自主研發的努力,聯華電子成功開發出一系列最先進半導體技術; 28 奈米 Poly SiON 進入行動通訊及運算產品上量的階段, 28 奈米 Gate-Last HK / MG 也將於今年下半年導入旗艦產品之試產, 20nm HK-Last HK / MG 與 14nm FinFET 的研發進展順利,12 吋特殊製程如高壓、嵌入式非揮發性記憶體、背面照度式 CMOS 影像感測器、2.5D interposer、3D IC TSV 等技術也與客戶密切合作開發,使聯華電子成為供應全方位技術的晶圓專工領導廠商。我們深信,與客戶及供應鏈夥伴間的密切合作,將成為共同追求成長並降低風險的致勝關鍵。聯電 Fab 12A 晶圓廠區第五至第八期擴建工程,將與客戶及廠商技術藍圖緊密配合,遵循聯電“客戶導向晶圓專工解決方案”的經營策略,強化本身競爭力,協助客戶順利導入新世代產品,並持續為公司成長注入動能,進一步提升獲利能力及股東權益報酬。”

聯華電子於 1999 年 11 月進駐台南科學園區,建造台灣第一座 12 吋晶圓專工廠。今日動土興建的第五、第六期廠房,將成為全球供應 28、20 及 14nm 產能的尖端 12 吋晶圓專工廠,預計在 2013 年下半年進行機台移入。潔淨室總面積為 5 萬 3 千平方公尺,相當於 10 座美式足球場大小,Fab 12A 廠區將增加超過 2,600 個工作機會,最大規劃月產能將由 8 萬片提升至 13 萬片,加上規劃中的第七、第八期廠房,Fab 12A 總計八期的晶圓廠,月產能將達到 18 萬片。聯華電子不斷擴增在台南科學園區的投資規模,除了堅定落實『深耕台灣,佈局全球』的經營承諾,也將啟動聯電下一波高成長時代的來臨。

 

聯華電子 新聞聯絡

金百佳 (Judy Jin)

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