聯華電子今日 (29日) 宣佈已取得 IBM 所授權的技術，將以 FinFET 3D 電晶體，促進次世代尖端 20 奈米 CMOS 製程的開發。雙方協議 IBM 將授權其 20 奈米設計套件以及 FinFET 技術給聯華電子，聯華電子將可運用這些技術，加快推出這些製程給客戶採用的時程。

聯華電子先進技術開發副總陳一浸博士表示，“對於這次與世界知名技術領導者 IBM 所進行的協議，我們感到十分高興。聯華電子身為全球晶圓專工領導者，必須掌握先機適時推出尖端製程，以協助客戶實現其次世代晶片設計。而借重 IBM 的專業技術來縮減我們 20 奈米與 FinFET 研發週期，將可為聯華電子與我們的客戶創造雙贏。”

聯華電子與 IBM 兩家公司的協議內容，包括 IBM 的 20 奈米 CMOS 與 FinFET 技術。聯華電子內部自行研發的 20 奈米平面 (planar) 製程，將與 IBM 的設計規則與製程 / 元件目標同步，未來聯華電子的 FinFET 技術，將針對行動運算與通訊產品，做為更強化的低耗電技術選項。此項研發將於聯華電子位於南科的研發中心進行。