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Jan 20, 2020

力旺 NeoFuse 矽智財成功導入 聯電 28 奈米 HV 製程 搶攻 OLED 市場

聯華電子今日 (20日) 表示,力旺電子一次可編程 (OTP) 記憶體矽智財 NeoFuse 已成功導入聯電 28 奈米高壓 (HV) 製程,強攻有機發光二極體 (OLED) 市場,關鍵客戶已經完成設計定案 (Tape Out) 並準備量產。

力旺業務發展中心副總何明洲表示:「繼之前與聯電合作的各高壓製程平台佈建力旺的各式解決方案,我們非常開心可以與聯電進一步在 28 奈米高壓製程的合作,因應 OLED 市場的需求,為客戶帶來最大的價值。」

聯電矽智財研發暨設計支援處林子惠處長也表示:「力旺 NeoFuse 矽智財與聯電 28 奈米高壓製程的合作,使我們的客戶得以客製化 IC 以符合 OLED 市場的高規需求。他更補充,不管是之前的 55 奈米、40 奈米到現在的 28 奈米高壓製程,聯電與力旺的合作成果都是非常正面的,我們客戶在各種顯示器應用市場大有斬獲,其中當然也包括 OLED 市場。」

高階手機配備 OLED 顯示器已然成為趨勢,對小尺寸顯示器驅動晶片 (SDDI) 效能要求亦更高,這樣的需求也顯示在製程平台的選擇上,OLED 關鍵客戶逐漸從 55 奈米或 40 奈米往更先進的 28 奈米高壓製程靠攏。

28 奈米高壓製程可使高效能顯示器引擎的複雜運算能力發揮最大功能,提供 OLED 顯示器驅動晶片更快的資料存取速度,更高容量的靜態隨機存取記憶體 (SRAM) 及更好的功耗,同時達到高畫質與省電的目的。

聯電在 2019 年的小尺寸顯示器驅動晶片 (SDDI) 量產晶圓出貨量為全球之冠,其 28 奈米後閘式 (Gate-Last) HKMG 製程具備優越管理漏電功耗與動態功率表現,可以提升行動裝置的電池壽命,以此為基礎,其 28 奈米高壓製程提供業界最小的靜態隨機存取記憶體 (SRAM) 記憶單位 (Bit-cell) 以減少晶片整體面積。

力旺是世界領導之邏輯非揮發性記憶體矽智財廠商,其 NeoFuse 矽智財為各種類型之應用提供低功耗、高可靠度、高安全性之解決方案,已經廣泛佈建於世界各大晶圓廠,從 0.15um 製程至先進製程節點均已佈建,未來也將繼續與晶圓廠緊密合作,為客戶創造最大利潤與價值。

關於力旺電子

力旺電子 (3529) 是全球知名的領導半導體矽智財供應商,專精嵌入式 Hard IP 設計。自 2000 年成立以來,力旺持續提供全球 1,550 多家晶圓廠、整合元件廠和 IC 設計公司一流的矽智財解決方案。自台積公司 2010 年創設「IP Partner Award」以來,力旺每年都以卓越的 IP 設計及服務獲得此一獎項的肯定。
力旺的 eNVM 矽智財系列包括可一次編寫記憶體 (NeoBit / NeoFuse)、可多次編寫記憶體 (NeoMTP / NeoFlash / NeoEE) 以及晶片安全矽智財 NeoPUF。
更多力旺電子訊息,請見公司官網 www.ememory.com.tw。

 

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