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台灣新竹民國109年10月29日: 就2018年11月美國司法部起訴聯華電子股份有限公司 (以下簡稱聯電) 違反聯邦營業秘密保護法案件，聯電已與司法部達成和解，和解協議內容今日業經北加州聯邦地方法院判決確定。 在和解協議中，司法部同意撤銷對聯電原來的指控，包括共謀實施經濟間諜活動、共謀竊取多項Micron Technology, Inc.(以下簡稱美光) 營業秘密、和專利有關的指控、以及可能從美金四億到八十七億五千萬的損害賠償及罰金等。聯電承認侵害一項營業秘密，同意支付美國政府美金六千萬元的罰金，並在三年自主管理的緩刑期間內與司法部合作。 2016年5月，聯電經由經濟部投審會核准，與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱晉華)簽署了合作協議。依據該協議，聯電與晉華共同開發兩代動態隨機存取記憶體(“DRAM”)製程 (以下簡稱DRAM合作案)。協議中所開發的DRAM製程並非最新技術，而是與2012年已用於量產技術相似的舊技術。 聯電為了DRAM合作案公開招募工程師，不允許任何員工攜帶前公司資訊到聯電，且針對自身與他人營業秘密已有多項保護與防免之政策與措施，然而兩位參與DRAM合作案的台灣美光前員工，卻違反與聯電簽訂之僱傭合約與聲明書，攜帶前公司資訊進入聯電並於工作中參考。當聯電知悉上述情事時，立即採取必要措施以確認開發的製程技術不包含任何未經授權的資訊。合作協議中所提及的第一代DRAM製程技術在2018年9月依協議移轉給晉華。聯電從無意圖、也未移轉任何未經授權的資訊給晉華。 然而，依據美國營業秘密保護法，即使員工在公司高層不知情之情況下違反公司政策，公司對於員工行為仍須負法律責任。因此，聯電在和解協議中承認並接受因員工觸法所造成的責任。 聯華電子董事長洪嘉聰表示： 數年前，聯電獲得政府事前核准，以自身專業知識及經驗、以及豐富的研發資源，參與DRAM合作開發案。 當聯電高層發現員工的不當行為時，立即採取措施，包含展開內部調查，並防止任何未經授權的資訊遭使用或外流。 有鑑於此，聯電將繼續落實並加強有關營業秘密之保護與防免的政策與措施，包括機密資訊的監管機制、智財權保護的教育訓練與稽核等，以確保日常營運符合公司智財權及資安保護政策。 我們很欣慰與美國政府達成協議，未來公司亦將持續在各領域提供具有競爭力之產品及服務。
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關於聯華電子 |
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聯華電子（紐約證交所代碼：UMC，台灣證交所代碼：2303）為全球半導體晶圓專工業界的領導者，提供高品質的晶圓製造服務，專注於邏輯及特殊技術，為跨越電 子行業的各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的製程技術及製造解決方案，包括邏輯 / 射頻、嵌入式高壓解決方案、嵌入式快閃記憶體、RFSOI / BCD，以及所有晶圓廠 皆符合汽車業的 IATF-16949 製造認證。聯電現共有十二座晶圓廠，策略性地遍及亞洲各地，擁有每月可生產超過 75 萬片約當八吋晶圓的產能。目前在全球約有 19,500 名 員工，並於台灣、中國、美國、歐洲、日本、韓國及新加坡均設有服務據點。詳細資訊，請參閱聯華電子官網：https://www.umc.com
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