聯華電子今 (20) 日宣布，用於 AMD 旗艦級繪圖卡 Radeo™ R9 Fury X 的聯華電子矽穿孔 (TSV) 技術，已經進入量產階段，此產品屬於 AMD 近期上市的 Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU 採用了聯華電子 TSV 製程以及晶粒堆疊技術，在矽中介層上融合 連結 AMD 提供的 HBM DRAM 高頻寬記憶體及 GPU，使其 GPU 能提供 4096 位元的超強記憶體頻寬，及遠超出現今 GDDR5 業界標準達 4 倍的每瓦性能表現。

聯華電子市場行銷副總暨 TSV 技術委員會共同主席簡山傑表示：「AMD 致力於將頂尖 GPU 產品帶入市場，具有豐富的成功經驗。這次量產里程碑彰顯了我們與 AMD 在 TSV 技術上緊密合作下的成果，我們很榮幸能運用此技術的性能優勢，協助 AMD 強化其新一代 GPU 產品。展望未來，聯華電子期盼與  AMD 繼續攜手，延續這份成果豐碩的夥伴關係。」

AMD 資深院士 (senior fellow) Bryan Black 表示：「從開始研發以至量產階段，聯華電子皆採用創新技術打造客戶產品，這是 AMD 選擇聯華電子合作矽中介層及相關 TSV 技術的關鍵因素。聯華電子此次順利將 TSV技術運用在 AMD 最新的高效能 GPU 上，再次證明了其堅實的專業能力。本公司很榮幸能擁有聯華電子作為我們的供應鏈夥伴，協助我們推出全新 Radeon 系列產品。」

AMD 提供的 GPU 與 HBM 堆疊晶粒，皆置放於聯華電子 TSV 製程的中介層上，透過 CMOS 線路重佈層 (redistribution layer) 與先進的微凸塊 (micro-bumping) 技術，這些晶片之間可於中介層彼此連通，因此得以實現 AMD Radeon™ R9 Fury X 絕佳的效能與位面積。AMD 的 TSV 矽中介層技術係於聯華電子位於新加坡的 12 吋特殊技術晶圓廠 Fab 12i 製造生產。