專精於 MRAM 技術的創新公司 Avalanche Technology 與半導體晶圓專工領導廠商聯華電子於今(13)日宣布推出高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體 (Persistent Static Random Access Memory, P-SRAM)。這個備受期待的第三代產品平台建構於 Avalanche Technology 最新一代自旋轉移矩磁性記憶體 (Spin-Transfer-Torque MRAM, STT-MRAM) 技術以及聯華電子的 22 奈米製程，相較於現有的非揮發性解決方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優勢。
Avalanche Technology 行銷與商務發展副總經理 Danny Sabour 表示，此次新產品的推出，真正實現了市場對高耐用性、高可靠性和高密度的各項應用需求，且無需外部電池、錯誤修正代碼 (Error-Correcting Code, ECC) 或耗損平均技術。有鑑於現今無所不在的感測裝置以及日益升高的資料處理需求推升對耐磨損、高持久性記憶體的需要，我們將很快啟動進一步提高 16Gb 單晶片解決方案的開發工作。
聯華電子前瞻發展辦公室暨研究發展副總經理洪圭鈞表示，我們很高興與 Avalanche Technology 這樣的技術領導廠商合作，將此獨立的記憶體解決方案投入生產，這是一個重要的里程碑，有助於將堅實且高度可擴展的 MRAM 解決方案商業化。聯電憑藉著多元的晶圓專工技術和卓越的製造能力，並透過此次與 Avalanche Technology 的合作，將滿足市場對持久性記憶體不斷提升的需求。
Avalanche Technology 首席技術長兼技術與晶圓專工業務副總經理懷一鳴表示，自 2006 年起，Avalanche Technology 持續專注於開發創新垂直式磁穿隧接面 (perpendicular Magnetic Tunnel Junction, pMTJ) 結構的 STT-MRAM 技術。我們以領先業界的 pMTJ 和 CMOS 設計為基礎，透過我們的合作夥伴聯華電子，讓最先進的高密度和高性能 STT-MRAM 產品得以問世。
Avalanche第三代P-SRAM
Parallel x 32 系列作為標準產品提供各種密度選項，並具有非同步SRAM兼容讀/寫時序。其數據始終是非揮發性的，並具備領先業界的 >1014 次寫入周期耐久性和 1,000 年保存期 (在 85°C 下)。兩種密度選項均採用小尺寸142-ball FBGA(15mm x 17mm)封裝。這些裝置都經由 JEDEC 認證流程確保寬廣的 (-40°C 至125°C) 工作溫度範圍，每項裝置在交付給客戶前並都經過 48 小時的老化測試。其他額外認證選項亦提供給合作夥伴選擇。
更多關於 Avalanche P-SRAM 產品的訊息請參閱 https://www.avalanche-technology.com/products/discrete-mram/space/
關於Avalanche Technology
Avalanche Technology Inc. 是次世代垂直式自旋磁性記憶體技術(Perpendicular STT-MRAM)的領導者，被公認為在未來單晶片(SOC)系統中取代傳統快閃記憶體(Flash)和靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory, SRAM)以實現統一內存架構的領先者，可在 55、40、28 和22奈米製程下實現，並可擴展至14奈米及更先進製程。憑藉在多個幾何節點上經過驗證的 STT-MRAM 產品以及超過 300 項專利和應用的組合，Avalanche Technology 正實現下一代可擴展統一內存架構以應用於工業、物聯網、航太和儲存應用，成為真正的「次世代MRAM 企業」。更多信息，請參閱官網：https://www.avalanche-technology.com
關於聯華電子
聯華電子 (紐約證交所代碼：UMC，台灣證交所代碼：2303) 為全球半導體晶圓專工業界的領導者，提供高品質的晶圓製造服務，專注於邏輯及特殊技術，為跨越電子行業的各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的製程技術及製造解決方案包括邏輯/混合信號、嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI 及 BCD。聯電大部分的十二吋和八吋晶圓廠及研發中心位於台灣，另有數座晶圓廠位在亞洲其他地區。聯電現共有十二座晶圓廠，總月產能超過80萬片八吋約當晶圓，且全部皆符合汽車業的 IATF 16949 品質認證。聯電總部位於台灣新竹，另在中國、美國、歐洲、日本、韓國及新加坡設有服務據點，目前全球約有 20,000 名員工。詳細資訊，請參閱聯華電子官網：https://www.umc.com
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