12 奈米

聯電的 12 奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程，是聯電與英特爾結合雙方技術專長共同開發的成果，在功耗、效能、晶片面積及成本效益等方面皆展現優異表現。

相較於聯電的 28 奈米與 22 奈米技術，聯電的 12 奈米透過最佳化 FinFET 元件提升更高效能，並藉由降低操作電壓大幅降低功耗。此外，該製程採用 6 走線軌道設計的標準元件架構，可縮小邏輯電路面積並提升成本競爭力。

聯電的 12 奈米製程專為高效能、低功耗應用所設計，適合應用於消費性裝置的 Wi-Fi 與數位電視系統單晶片（SoC）、個人電腦與伺服器的高速 I/O 晶片、車用與機器人應用的乙太網路晶片、以及 AI 資料中心所需的高速切換穩壓晶片。