12 奈米

聯華電子和英特爾晶圓代工正開發12奈米 FinFET技術，預計將提供最佳的功耗、性能和面積效率。

與聯華電子的14奈米技術(14FFC)相比，這項12奈米技術在優化的FinFET設備下，可實現10%的性能提升，並透過降低電壓減少了20%的功耗。採用6走線軌道設計，使面積減少超過10%，而3層光罩的簡省進一步增強了成本競爭力。

這項與英特爾的合作，在聯電的22/28奈米製程外為客戶提供了一經濟有效選擇路線，並非常適合高速增長的應用，如用於移動和消費設備的WiFi和數位電視SoC ，以及用於PC和數據中心的高速I/O晶片。