聯華電子今日 (26日) 發表一種可提昇絕緣層覆矽電晶體效能的工程技術。跟傳統的基體接地絕緣層覆矽電晶體相比較，此種直接穿隧感應浮體電位技術，能擴大該元件的特定物理行為，增加 30% 的 PMOS 電晶體驅動電流。有別於如應變矽元件或多重閘極電晶體等其他效能提昇技術，這項新技術並不會增加製程的複雜度，意即不會造成額外的製造成本支出或良率的降低。

聯華電子中央研究發展部邏輯製造開發部長簡山傑表示，“為了能更進一步增加我們的競爭力，聯華電子一直不斷的在同步研究開發各種可能的先進技術。於絕緣層覆矽電晶體上使用直接隧道感應浮體電位的技術就是其中之一。這項研究成果不只提供了聯華電子在未來先進技術上所需的性能提昇，同時也顧及了可製造性，而這正是一個半導體晶圓專工公司得以成功的關鍵因素。”

這項先進的工程技術是透過簡單的設計佈局結構來控制直接穿隧電流。直接穿隧是一種電子或電洞穿過薄絕緣層的量子機械行為。這個平常不太受歡迎的行為，卻可經由此項工程技術來補強不受控制的浮體效應。有了這個額外的控制，除了效能獲得提昇之外，電晶體行為也將變得更容易預測。

在四月份及五月份出版的 IEEE Electron Device Letters 和 IEEE Transaction on Electron Devices 期刊中，均會刊登有關於此項技術的系列探討。

Silicon-on-Insulator is an approach in which transistors are built on top of an insulating material instead of the conventional silicon crystal substrate. By replacing the silicon substrate with an insulator substrate, extra capacitive load produced at the interface between the substrate and the transistor active areas is eliminated. In effect, SOI transistors can switch faster with lower power consumption, compared to conventional bulk silicon transistors. However, the body of the transistor is now sitting on an insulator and therefore electrically isolated from the rest of the circuit. The isolated body leads to the floating body effect, which creates an uncontrollable mode that makes transistors behave erratically in certain circumstances.