聯華電子與加拿大 MOSAID Technologies 公司今日 (10日) 共同宣佈，兩家公司將針對聯華電子的 90 奈米與 130 奈米製程，共同合作發展綜合的 DDR (雙倍率資料讀取) / DDR2 SDRAM (同步動態隨機存取記憶體) 記憶體控制器 SIP (半導體矽智財) 解決方案。

MOSAID 公司這項為聯華電子先進製程所開發的綜合記憶體控制器解決方案，是由高效能 SSTL I/O 設計單元資料庫、DLL 硬式 SIP 元件以及控制器 RTL 軟式 SIP 組成。這項解決方案可同時支援 SSTL2 信號的DDR SDRAM 與 SSTL18 信號的 DDR2 SDRAM。此外，此項設計也使客戶的產品能夠同時與 DDR SDRAM 及 DDR2 SDRAM 交界，而無須分為兩次製造產品。與其說 MOSAID 憶體控制器 SIP 是單一的硬式區塊，此項設計其實更接近於一個能輕易組合其他元件的設計單元資料庫。此項設計能讓客戶擁有更多的彈性去設計各種不同的記憶體介面配置與銲墊配置。MOSAID 記憶體控制器能以高達 800Mb / s / pin 的速度，支援晶片對晶片以及晶片對模組的配置。

聯華電子智財研發及設計支援部部長劉康懋表示，“聯華電子充分認同 DDR 記憶體在今日半導體業的應用當中，所扮演的重要角色。MOSAID 公司是提供 DDR 解決方案的優良IP供應商，聯華電子十分樂意能與 MOSAID 公司合作，將他們的記憶體控制器IP新增至聯華電子 90 奈米與 130 奈米製程的 IP 群中，使客戶得以運用在他們的系統單晶片設計上。”

“我們與聯華電子的合作，將會使 MOSAID 的記憶體控制器 IP 更廣泛的為聯華電子 130 奈米及 90 奈米製程客戶所使用，”MOSAID 公司智財部副總裁兼總經理 Peter Gillingham 表示，“隨著標準 DDR 與 DDR2 SDRAM 記憶體元件的速度加快，MOSAID 公司與聯華電子共同發展記憶體控制器的益處，例如降低設計成本與風險以及加速上市時程，將會變得更具說服力。

DDR / DDR2 SDRAM 記憶體控制器將以群組元件，或是單一元件，例如 SSTL I/O 設計單元資料庫、DDR / DDR2 SDRAM實體層，或是記憶體 RTL 方式，由 MOSAID 公司直接授權並支援。在通過矽驗證之後，聯華電子也將在其 IP 目錄中登錄這項 IP。MOSAID 的 DDR / DDR2 SDRAM 記憶體控制器 IP 預定在今年秋天推出。

MOSAID Technologies Incorporated makes memory better through the development and licensing of intellectual property and the supply of memory test and analysis systems to semiconductor manufacturers, foundries and fabless semiconductor companies around the world.

Founded in 1975, MOSAID is based in Ottawa, Ontario, Canada, with offices in Santa Clara, California; Newcastle upon Tyne, U.K; and Tokyo, Japan. For more information, visit the Company's web site at www.mosaid.com.