矽智財供應商力旺電子(eMemory)與全球半導體晶圓製造領導廠商聯華電子今(28)日宣布，力旺的可變電阻式記憶體(RRAM)矽智財已通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證，為聯電的AIoT與行動通訊應用平台提供更多元的嵌入式記憶體解決方案，未來雙方也將持續合作開發車用規格的RRAM。

力旺電子提供的8Mb RRAM IP具有額外的16Kb資訊儲存區塊和內部修復與錯誤偵測/修正等關鍵功能，可用於IoT設備中的微控制器和智慧電源管理IC的編碼儲存，還可以支援人工智慧之記憶體內運算架構。聯電提供22奈米的0.8V/2.5V RRAM平台，使用較少的光罩層數、較短的生產週期和更容易與BCD、高壓等特殊製程整合的優勢。

「對40奈米、22奈米和高階製程而言，RRAM是不可或缺的多次編程嵌入式記憶體選項。力旺的下一個RRAM開發目標是對應汽車應用需求，在22奈米 0.8V/2.5V 平台實現更高的儲存密度(16Mb)、更快的速度、更高的寫入溫度耐受度和持續提升的覆寫能力。」力旺電子技術長暨第二事業群總經理林慶源表示：「此外，我們繼續推進在0.8V/1.8V ULP上的開發。憑藉其用於讀取和寫入模式的低工作電壓，力旺的RRAM將成為主流技術平台上最具成本效益的eFlash解決方案，並可擴展至更多製程節點。」

聯電技術開發部副總經理徐世杰表示：「隨著AIoT應用不斷地拓展，市場對低功耗非揮發性記憶體的需求逐漸增加。力旺電子的IP成功的在聯電22奈米RRAM平台完成驗證，為客戶在開發下一代產品時提供更強大的記憶體解決方案。聯電致力於提供多元和差異化的特殊製程技術，我們很高興與力旺電子合作，持續強化AIoT與車用市場的嵌入式記憶體方案。」

力旺電子的RRAM IP具有一萬次覆寫能力和長達10年的數據保留，並可承受高達105度的高溫。為了方便用戶，這款RRAM IP設計具備友善的介面、完整的使用者模式和測試模式，並可在0.8V/2.5V標稱雙電壓接口下進行編程。RRAM不需對前端製程做額外調整，並採用低溫後端製程，幾乎不會產生額外的熱預算，因此備受市場期待。與分離閘快閃記憶體(split-gate Flash)相比，RRAM具有相對簡單的結構、使用較少層的光罩、較友善的製程和更高的CMOS製程兼容性。在對性能要求相對嚴格的汽車應用中，RRAM與MRAM相比，具有更佳的抗磁能力。(更多技術特性介紹請參考 eMemory's website)

關於聯華電子

聯華電子(紐約證交所代碼：UMC，台灣證交所代碼：2303)為全球半導體晶圓專工業界的領導者，提供高品質的晶圓製造服務，專注於邏輯及特殊技術，為跨越電子行業的各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的製程技術及製造解決方案包括邏輯/混合信號、嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI及BCD。聯電大部分的十二吋和八吋晶圓廠及研發中心位於台灣，另有數座晶圓廠位在亞洲其他地區。聯電現共有十二座晶圓廠，總月產能約85萬片八吋約當晶圓，且全部皆符合汽車業的IATF 16949品質認證。聯電總部位於台灣新竹，另在中國、美國、歐洲、日本、韓國及新加坡設有服務據點，目前全球約有20,000名員工。詳細資訊，請參閱聯華電子官網：https://www.umc.com

關於力旺電子

力旺電子(3529)成立於 2000 年，是全球知名的半導體矽智財供應商，在全球嵌入式非揮發性記憶體市場(embedded Non-volatile Memory)位居領導地位。在2019年更跨足晶片安全領域，導入其出色的反熔絲可一次編寫記憶體(anti-fuse OTP)與物理不可複製功能(PUF)技術，開發晶片安全解決方案。

繼可一次編寫記憶體(NeoBit/NeoFuse)取得突破性成功後，力旺電子持續擴展其IP 產品線，包括可多次編寫記憶體(NeoMTP/NeoEE)、快閃記憶體(NeoFlash/ReRAM)和PUF技術(NeoPUF) 此外，通過子公司熵碼科技，以創新的PUF和安全OTP為核心提供安全子系統和各式解決方案，包括信任根模塊PUFrt和加密協處理器PUFcc。

作為世界領先的 IP 供應商，eMemory 已為全球 2,200 多家晶圓廠、整合元件廠和IC設計公司提供一流的矽智財解決方案，並致力於與我們的客戶及合作夥伴一起推動先進應用的技術發展。欲瞭解更多力旺電子的最新消息，詳見 www.ememory.com.tw