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22 奈米

  • Introduction
  • 聯電的 22 奈米製程與 28 奈米 HKMG 製程相比,具有將晶片面積減少 10% 的優勢,同時具有更高的功率效能比和增強的 RF 性能。 在相同的速度下 Iddq 可減少 30% ,或者在相同的 Iddq 下速度可增加 10%。此外 22 奈米製程添加了可選元件,為單晶片系統 (SoC) 設計提供更靈活的模擬設計環境。

    22 奈米超級集組合技術將 ULP 和 ULL 兩種製程方案建立在同一個平台上。 這項技術可以支援 1.0V 至 0.6V 的電壓,從而幫助客戶可以同時享有 SoC 設計中這兩種技術的優勢。

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