eNVM
- Introduction
- Device Offering
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現今的消費性電子產品正面臨多樣少量的產品設計需求及挑戰,而嵌入式非揮發性記憶體的技術剛好可以滿足這類市場的產品需求。因為相同的產品硬體設計,可以藉由不同版本的韌體更新,進而被應用於不同終端市場的產品。 對於高度需求反覆讀寫能力 (Endurance) 的產品應用,例如 smartcard,SIM卡或微處理器等,eE2PROM 或 eFlash 會是最理想的技術選擇。 然而,對於中低度反覆讀寫能力需求或中低密度記憶體容量的產品應用 (例如電源管理 IC),則可以採用 eMTP 技術。 最後,對於那些只需要一次性程式編寫應用的產品應用,則可以使用 eOTP 或 eFuse 的嵌入式非揮發性記憶體技術。
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全面且完整的嵌入式非揮發性記憶體技術的解決方案
- 針對嵌入式非揮發性記憶體的更高容量密度,更密集邏輯電路設計和 IP 更高性能的高規格要求,聯華電子提供了全面且完整的嵌入式非揮發性記憶體技術的解決方案,包含從 8 英吋的 0.35 um到 12 英吋 28 / 22nm的技術。所有這些嵌入式非揮發性記憶體技術的解決方案,都是架構在一般邏輯電路製程技術解決方案上,可以為客戶的SoC產品電路設計提供可靠並相容的嵌入式非揮發性記憶體IP。藉由聯華電子的嵌入式非揮發性記憶體技術的解決方案,客戶可以容易並直接地採用 standard cell library 和 standard IO library,以最大程度地幫助客戶,減少客戶的設計工作量。
- 以下是聯華電子 12 英吋嵌入式非揮發性記憶體技術的解決方案列表。
Vt options
Platform offering
55uLP
SST40uLP
SST40uLP
SONOS28HPC+
SSTCore Vcc (V)
0.9 / 1.2
0.9 / 1.1
0.9 / 1.1
0.9
eLVT
-
V
V
-
uLVT
-
-
V
V
LVT
V
V
V
V
RVT
V
V
V
-
SVT
-
-
-
V
HVT
V
V
V
V
uHVT
V
-
-
V
eHVT
-
V
V
V
1.8V IO
Platform offering
55uLP
SST40uLP
SST40uLP
SONOS28HPC+
SSTCore Vcc (V)
0.9 / 1.2
0.9 / 1.1
0.9 / 1.1
0.9
1.8V
-
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-
V
1.8 UD 1.5V
-
-
-
V
1.8 UD 1.2V
-
-
-
V
2.5V IO
Platform offering
55uLP
SST40uLP
SST40uLP
SONOS28HPC+
SSTCore Vcc (V)
0.9/1.2
0.9/1.1
0.9/1.1
0.9
2.5V
V
V
V
V
2.5 UD 1.8V
V
V
V
V
2.5 OD 3.3V
V
V
V
V
SRAM
Platform offering
55uLP
SST40uLP
SST40uLP
SONOS28HPC+
SSTCore Vcc (V)
0.9 / 1.2
0.9 / 1.1
0.9 / 1.1
0.9
6T
0.425 um2
0.525 um2
0.242 um2
0.242 um2
0.127 um2
0.155 um28T
0.789 um2
0.477 um2
0.477 um2
0.240 um2
0.315 um2
eFlash
Platform offering
55uLP
SST40uLP
SST40uLP
SONOS28HPC+
SSTCore Vcc (V)
0.9 / 1.2
0.9 / 1.1
0.9 / 1.1
0.9
SST / ESF3
V
V
-
-
SST / ESF4
-
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-
V
SONOS
-
-
V
-
Mixed Signal Devices
Platform offering
55uLP
SST40uLP
SST40uLP
SONOS28HPC+
SSTCore Vcc (V)
0.9 / 1.2
0.9 / 1.1
0.9 / 1.1
0.9
Native Vt
V
V
V
V
Bipolar
V
V
V
V
Diodes
V
V
V
V
5V LDMOS
V
V
NCAP
V
V
V
V
PCAP
V
MOMCAP
V
V
V
V
Resisters
V
V
V
V
Inductors
V
V
V
V
Featured Resources