2.5D IC

聯電的 2.5D IC 技術採用先進的重佈線層（RDL）與矽穿孔（TSV）製程，實現高密度互連。除了矽中介層，我們也提供矽橋接方案，可嵌入基板、扇出型面板級封裝（FOPLP）或扇出型晶圓級封裝（FOWLP）中。此平台亦可整合深溝槽電容（eDTC），讓接合於中介層或矽橋上的晶片受益於局部電容。

• 高密度互連： RDL 與 TSV 製程支援晶粒間的高密度連接。
• 靈活的平台選項： 提供矽中介層（interposer）與矽橋接（Bridge）方案，以適應不同的封裝形式。
• 整合深溝槽電容（DTC）技術： 提供局部雜訊去耦與電壓調節，可降低瞬態電壓波動，改善電源完整性對處理器效能的影響。
• 封裝組裝與供應鏈支援： 聯電與通過認證的委外封裝測試（OSAT）合作夥伴合作，支援技術探索與量產。服務項目包括晶圓研磨、晶圓切割，以及晶粒與中介層接合。

聯電 2.5D IC 解決方案適用於 AI 加速器、高效能運算（HPC）及資料中心等高算力應用，滿足 AI 模型訓練與推論等工作負載對高速資料傳輸、訊號穩定性與供電品質的需求。

聯電的 2.5D IC 解決方案可實現高密度橫向互連