RFSOI

聯電的 RFSOI（RF Silicon-on-Insulator, RFSOI）製程平台，旨在為先進無線裝置提供高度整合且高效率的射頻前端解決方案。透過採用 SOI 基板及針對射頻應用最佳化的元件設計，聯電的 RFSOI 平台可支援開關、天線調諧器及低雜訊放大器（LNA）等關鍵射頻元件，協助客戶因應 4G／LTE 及 5G／6G 系統中的多頻段複雜性，同時維持精巧的產品尺寸與優異的訊號完整性。

聯電的 RFSOI 平台具備射頻設計人員所重視的多項性能特點，包括極低的諧波失真，可實現更乾淨的發射訊號；優異的線性度，可支援要求嚴苛的調變方案；以及具競爭力的RF射頻開關效能，在低插入損耗與優異隔離度之間取得良好平衡。此外，該平台也能提供穩健的 LNA 元件性能，滿足高靈敏度接收路徑的需求。憑藉聯電嚴謹的製造能力，這項技術已通過大量生產驗證，具備穩定的良率與可靠度，並已獲一線客戶採用於量產。

聯電提供廣泛的 RFSOI 解決方案，包括 8 吋及 12 吋製程解決方案，並可與 RFCMOS、BCD 及化合物半導體技術形成協同效益，共同滿足現代 4G／5G／6G 系統多天線架構對射頻前端元件或模組（FEM）的需求。相關應用包括天線調諧器、射頻開關元件、載波聚合（Carrier Aggregation）、LNA及功率放大器（PA）。