製程技術 - 聯華電子

RFSOI

Introduction
Differentiation

我們的 RFSOI 平台具有低諧波、極具競爭力的 Ron * Coff 和 LNA 元件性能等特點，所提供的 RF 前端解決方案，適用於 4G/LTE 和 5G 應用的天線開關、天線調諧器和低雜訊放大器。

聯電的 RFSOI 技術組合在市場上已成功地被多位主要的前端組件製造商所採用，並於 8 吋和 12 吋晶圓廠生產。聯電所提供 RFSOI 解決方案包含下列各項：

完整的 EDA 工具以及設計支援。
UMC 的 FDK (晶圓設計套件) 提供了一個友善的用戶平台，該平台將電路設計原理圖輸入，模擬，佈局編輯器，參數提取和佈局檢查集成在一個封裝套件中。
獨特的虛擬電感器資源庫為 RF 設計人員提供了更快的電感器模擬，可在數分鐘內設計出 “優化的電感器”。
完整的 8 吋和 12 吋製程技術世代。
堅實的專業製造技術，總出貨量已經超過了百萬片晶圓。

RFSOI 的最佳晶圓代工廠製造選擇

聯電的 RFSOI 技術建立在高阻抗 trap rich SOI 基板上，能夠堆疊元件實現高耐壓射頻開關，且具有低諧波、低 Ron * Coff 特點，並有良好的隔絕能力 (isolation)。以 CMOS 為基礎的 RFSOI 技術，還具有整合控制電路、低雜訊放大器和射頻開關在單一晶片中的優勢。

前端射頻元件因應市場需求，追求不同的三大方向

射頻開關性能

LTE/sub-6GHz 高端開關

具有低 Ron * Coff，高 Pmax 和低諧波的開關

低雜訊放大器和射頻開關的整合

低雜訊放大器和射頻開關的整合適用於 5G 應用

較小的晶片面積

低成本射頻開關

適用於低端手機，Wi-Fi，藍牙等

低成本技術 (具有足夠的性能)